CRF plasma 等離子清洗機

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微波等離子清洗機

CRF-WBO-RO1200

0-1250W功率可調固態微波源,脈沖、連續波方式可調,頻率2.45GHz±25Hz,循環水冷降低溫度。


●環形器+帶耦合器的水負載,吸收反射微波,大大延長微波源使用壽命。

三銷釘調諧器可調節負載阻抗,提高微波利用率,降低反射波損傷。

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設備詳細數據

名稱 參數
設備供電 三相380V/AC,50/60Hz,7.2KW
等離子微波源 2.45GHz,0-1250W
負載冷卻方式
循環水冷
真空泵 雙級旋葉泵+羅茨泵
設備控制方式 PLC+PC
真空探測 皮拉尼式真空規
工藝氣體 2路氣體可選(CF4,SF6,O2,Cl2,BCI2等)
氣體流量 MFC/0-500sccm,兩路氣體可選
腔體容積 110L
處理效率 同時可放置8個支架類料盒
觸摸屏
13.3寸一體機
外形尺寸 1400mm*770mm*1660mm

         等離子清洗是半導體后道工藝中最常見的設備之一。微波等離子清洗機在微波源的激發下產生氧等離子體,這種激發的氧等離子可以有效的去除半導體芯片在加工過程中在芯片表面殘留的有機污染物,這種污染物會嚴重影響器件在鍵合封裝中的良率。在集成電路的制作程中,會產生許多種類的污染物,包括氟化樹脂、氧化物、環氧樹脂、焊料、光刻蝕劑等,這些污染物將嚴重影響集成電路及其元器件的可靠性和合格率。等離子清洗作為一種能有效去除表面污染物的工藝技術被廣泛應用于集成電路的制程中。
         微波等離子清洗作為一種綠色無污染的高精密干法清洗方式, 可以有效去除表面污染物,避免靜電損傷。簡述了微波等離子清洗的原理及特點,介紹了設備的構成、清洗工藝和模式,對微波導入和微波源與負載的匹配兩個關鍵技術進行了研究;通過工藝驗證,微波等離子清洗降低了接觸角度,提高了引線鍵合強度。

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